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                6. MOSFET,MOSFET的結構介紹
                  • 發布時間:2022-03-18 16:03:39
                  • 來源:
                  • 閱讀次數:
                  MOSFET,MOSFET的結構介紹
                  最近,國內對MOSFET的需求大漲,導致業內缺貨,很多廠商有錢買不到貨,這是MOSFET廠商最愿意看到的。MOSFET需求增長源于物聯網、3C產品、云端運算及服務器等的快速發展。
                  MOSFET也叫金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管,是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,簡稱包括NMOS、PMOS等。本文帶大家熟悉一下MOSFET的結構和前景。
                  MOSFET的結構
                  MOSFET
                  上圖是典型平面N溝道增強型NMOSFET的剖面圖。它用一塊P型硅半導體材料作襯底,在其面上擴散了兩個N型區,再在上面覆蓋一層二氧化硅(SiO2)絕緣層,最后在N區上方用腐蝕的方法做成兩個孔,用金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個孔內做成三個電極:G(柵極)、S(源極)及D(漏極)。
                  從圖中可以看出柵極G與漏極D及源極S是絕緣的,D與S之間有兩個PN結。一般情況下,襯底與源極在內部連接在一起,這樣,相當于D與S之間有一個PN結。
                  圖1是常見的N溝道增強型MOSFET的基本結構圖。為了改善某些參數的特性,如提高工作電流、提高工作電壓、降低導通電阻、提高開關特性等有不同的結構及工藝,構成所謂VMOS、DMOS、TMOS等結構。
                  MOSFET重點參數
                  MOSFET的參數很多,包括直流參數、交流參數和極限參數,但一般使用時關注以下主要參數:
                  1、IDSS—飽和漏源電流。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流。
                  2、UP—夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓。
                  3、UT—開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導通時的柵極電壓。
                  4、gM—跨導。是表示柵源電壓UGS—對漏極電流ID的控制能力,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM是衡量場效應管放大能力的重要參數。
                  5、BUDS—漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時,場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數,加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS。
                  6、PDSM—最大耗散功率。也是一項極限參數,是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時,場效應管實際功耗應小于PDSM并留有一定余量。
                  7、IDSM—最大漏源電流。是一項極限參數,是指場效應管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流。場效應管的工作電流不應超過IDSM 。
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