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                6. 絕緣柵型場效應管(N溝道)知識介紹
                  • 發布時間:2021-09-04 18:31:03
                  • 來源:
                  • 閱讀次數:
                  絕緣柵型場效應管(N溝道)知識介紹
                  絕緣柵型場效應管
                  絕緣柵型的場效應管多了一個襯底B,上圖中的箭頭向里,說明是P到N的,也就是N溝道。中間是虛線,漏極和源級沒有連接在一起說明中間是有絕緣層的,為增強型。 當增強型想要形成N溝道時,需要Ugs加正向電壓,是的兩個N+之間產生電子區域(這個為什么是電子區域我現在也不清楚。。)最終形成N溝道的反型層。當然這中間需要Ugs的電壓達到一定的值。
                  絕緣柵型場效應管
                  第一幅圖,是當Ugs開啟N溝道后,Uds增加,Id也增加。這個N溝道就想一個可變電阻一樣如同之前的博客里的結型場效應管一樣。
                  第二幅圖Ugd隨著Uds的增加一定會變成一個負電壓,當這個負電壓的值和Ugs的開通電壓一樣時,就會出現夾斷,也就是增強型要正電壓才能夾斷(這是我個人理解,可能不太對)。
                  第三幅圖隨著Uds增大,Id并不能克服耗盡層,所以Id的電流幾乎不變。進入恒流區。PPt上寫著的Ugs的增加克服夾斷區的電阻也是對的,因為Ugs的增加本身也是為了形成N溝道
                  絕緣柵型場效應管
                  耗盡型的豎線有相同的說明漏極和源級是相同的,跟右圖的匹配。耗盡型的MOS管本身就有正離子,所以N溝道一直存在。所以當Ugs為0時也是存在的。如果想要夾斷,那就要消除本身存在的正離子,那就需要Ugs加反向電壓還必須很小,不然Ugs在>0,<0,=0是都可以導通。但因為SiO2的絕緣性質存在盡管Ugs加正向電壓,N溝道的等效電阻也會很大(這句話我也就勉強理解的,具體這個正離子和絕緣性到底跟添加正反向電壓的關系不懂)。同理想要進入恒流區,那Uds需要(這個等日后來補),感覺耗盡型的要好好分析下,還是要懂半導體的物理特性才行。
                  絕緣柵型場效應管
                  增強型和耗盡型的Ugs和ip根據上述分析容易與圖中對照起來。而且增強型的Uds在Ugs不變的情況下不斷增加那就會進入恒流區。
                  絕緣柵型場效應管
                  第一個問題答案是:絕緣柵型的耗盡型
                  第二個問題答案是:絕緣柵型的增強型
                  第三個問題答案是:結型和絕緣柵型的耗盡型
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